Verfahren zur Herstellung einer Dünnen Schicht aus Ferroelektrischem Material

EP4430933 Art B1 26. März 2025

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4430933
Aktenzeichen: EP22797411
Anmeldetag: 28. September 2022
Veröffentlichung: 26. März 2025
Erteilung: 26. März 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H10N30/073H10N30/082H10N30/086

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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