Halbleiteranordnung
Anmelder: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4432333
- Aktenzeichen
- EP23187881
- Anmeldetag
- 26. Juli 2023
- Veröffentlichung
- 27. November 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/50H01L23/24H01L23/31H01L23/00
Abstract
A semiconductor device according to an embodiment includes: an insulating substrate having a first metal layer and a second metal layer; a semiconductor chip on the first metal layer having an upper electrode and a lower electrode connected to the first metal layer; a bonding wire having a first end portion connected to the upper electrode and a second end portion connected to the second metal layer; a first resin layer covering the semiconductor chip and the bonding wire, the first resin layer containing a first resin; a second resin layer covering a bonding portion between the first end portion and the upper electrode containing a second resin having a Young's modulus higher than that of the first resin; a third resin layer on the first resin layer, the third resin layer containing a third resin having a moisture permeability lower than that of the first resin.
Anmelder
- Firmen
- KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation - Land
- 🇯🇵 Japan
Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.
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Toshiba Electronic Devices & Storage ist eine Tochtergesellschaft des japanischen Toshiba-Konzerns für Halbleiterbauelemente und Speicherprodukte. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Halbleiter- und elektrische Bauelemente, ergänzt um Mess- und Prüftechnik sowie Software und Telekommunikation. Die Anmeldungen betreffen überwiegend Halbleiterbauelemente und zugehörige Steuerschaltungen.
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