Schaltungsanordnung mit einem Ersten Transistor und einem Zweiten Transistor, der ein Gemeinsames Gate-Signal Empfängt
EP4432563
Art A1
18. September 2024
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4432563
- Aktenzeichen
- EP23162661
- Anmeldetag
- 17. März 2023
- Veröffentlichung
- 18. September 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H03K17/12H03K17/16H03K17/723
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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