Lese-/schreib-Schaltkreis und Speicher
EP4435788
Art B1
15. Oktober 2025
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4435788
- Aktenzeichen
- EP24193554
- Anmeldetag
- 1. März 2021
- Veröffentlichung
- 15. Oktober 2025
- Erteilung
- 15. Oktober 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C11/4091G11C7/10G11C7/22G06F3/06G11C11/409G11C11/419G11C13/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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