Substratanordnung

EP4439649 Art A1 2. Oktober 2024

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4439649
Aktenzeichen: EP23165010
Anmeldetag: 29. März 2023
Veröffentlichung: 2. Oktober 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L23/13H01L23/14H01L23/373H05K7/20H01L23/047H01L23/049H01L23/053H01L23/00// H01L23/538H01L25/07

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

4.872 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von