Oxidhalbleiter, Herstellungsverfahren dafür und Halbleiterbauelement damit

EP4439679 Art A1 2. Oktober 2024

Anmelder: Korea Institute of Ceramic Engineering and Technology, IUCF-HYU (INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG UNIVERSITY) 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4439679
Aktenzeichen: EP22899107
Anmeldetag: 25. November 2022
Veröffentlichung: 2. Oktober 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/20C23C14/08C23C14/58H10D30/67H10D99/00C23C14/34

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Korea Institute of Ceramic Engineering and Technology
IUCF-HYU (INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG UNIVERSITY)
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Iucf-hyu (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University)

Die IUCF-HYU verwaltet Forschungsergebnisse und Patente der Hanyang University in Südkorea. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiterbauelemente sowie Medizintechnik, ergänzt um anorganische Chemie und Software. Anmeldungen reichen von 2002 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von