Speichervorrichtung, Speichersystem und Programmbetriebsverfahren dafür
EP4441740
Art A1
9. Oktober 2024
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4441740
- Aktenzeichen
- EP22899965
- Anmeldetag
- 17. August 2022
- Veröffentlichung
- 9. Oktober 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C16/34G11C11/56G11C16/04G11C16/08G11C16/10G11C16/32
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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