Gate-Treiber für Grosse Spannungen mit Transistoren mit Niedrigem Gate-Oxid-Gehalt
EP4441893
Art B1
4. Februar 2026
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4441893
- Aktenzeichen
- EP22844337
- Anmeldetag
- 30. November 2022
- Veröffentlichung
- 4. Februar 2026
- Erteilung
- 4. Februar 2026
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H03K17/0812H03K17/082H03K17/16
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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