Rückwärtssperrender Bipolartransistor mit Isoliertem Gate

EP4443513 Art A1 9. Oktober 2024

Anmelder: Littelfuse, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4443513
Aktenzeichen: EP24166672
Anmeldetag: 27. März 2024
Veröffentlichung: 9. Oktober 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/06H01L21/761H01L21/762H01L29/08H01L21/331H01L29/739

Abstract

Methods for making reverse-blocking insulated gate bipolar transistors and associated structures. A first and a second silicon wafer substrates are provided and bonded. One or more separation diffusion regions are formed in the first silicon wafer substrate. One or more front side metal-oxide semiconductor (MOS) structures are formed on a top surface of the first silicon wafer substrate. The second silicon wafer substrate layer is removed. A contact diffusion layer is formed on a bottom surface of the first silicon wafer substrate. A backside metallization layer is formed on a bottom surface of the contact diffusion layer.

Anmelder

Firma: Littelfuse, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Littelfuse

Littelfuse ist ein US-amerikanischer Hersteller von Sicherungen und Bauteilen zum Schaltungsschutz. Der Patentbestand konzentriert sich stark auf Halbleiterbauelemente sowie Elektro- und Schaltungstechnik, ergänzt durch Messtechnik. Die Anmeldungen aus 2000 bis 2025 betreffen unter anderem Sicherungsmodule und lichtbogenlöschende Beschichtungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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