Hochspannungs-Verarmungsmodus-Stromquelle, Transistor und Herstellungsverfahren
EP4445426
Art A2
16. Oktober 2024
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4445426
- Aktenzeichen
- EP22854530
- Anmeldetag
- 12. Dezember 2022
- Veröffentlichung
- 16. Oktober 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/10H01L21/8252H01L27/06H01L29/205H01L29/40H01L29/66H01L29/778H01L29/86H01L29/861H01L29/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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