Hemt-Gehäuse mit Bonddrahtfreien Verbindungen

EP4447102 Art A3 25. Dezember 2024

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4447102
Aktenzeichen: EP24163368
Anmeldetag: 13. März 2024
Veröffentlichung: 25. Dezember 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L23/14H01L23/00H01L25/07

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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