Graben-Gate-Feldeffekttransistorvorrichtung und Verfahren zur Herstellung

EP4447121 Art A1 16. Oktober 2024

Anmelder: Nio Technology (Anhui) Co., Ltd 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4447121
Aktenzeichen: EP23167839
Anmeldetag: 13. April 2023
Veröffentlichung: 16. Oktober 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/423H01L29/78H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Nio Technology (Anhui) Co., Ltd
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Nio Technology (Anhui)

Der Anmelder ist eine chinesische Fertigungsgesellschaft des Elektroautoherstellers NIO in der Provinz Anhui. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Fahrzeugtechnik sowie auf Halbleiterbauelemente, Software und Nachrichtentechnik. Anmeldungen laufen seit 2020 durchgehend fort.

440 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von