Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur mit einem Polykristallinen Siliciumcarbidsubstrat und einer Aktiven Schicht aus Einkristallinem Siliciumcarbid

EP4449477 Art B1 31. Dezember 2025

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4449477
Aktenzeichen: EP22840798
Anmeldetag: 13. Dezember 2022
Veröffentlichung: 31. Dezember 2025
Erteilung: 31. Dezember 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/02H01L21/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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