Eingabe-/ausgabe-Referenzspannungstrainingsverfahren in Dreidimensionalen Speichervorrichtungen

EP4451271 Art A3 12. Februar 2025

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4451271
Aktenzeichen
EP24198892
Anmeldetag
15. Dezember 2022
Veröffentlichung
12. Februar 2025
Rechtsraum
EP
IPC
G11C5/14G11C7/10G11C16/04G11C16/30G11C16/32// G11C16/10G11C16/26H10B43/27
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

996 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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