Halbleiterstruktur und Herstellungsverfahren dafür

EP4451320 Art B1 14. Januar 2026

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4451320
Aktenzeichen
EP22921401
Anmeldetag
22. Juni 2022
Veröffentlichung
14. Januar 2026
Erteilung
14. Januar 2026
Rechtsraum
EP
IPC
H10B12/00H10D30/67H10D84/01H10D84/03H10D84/83
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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