Verfahren zur Herstellung eines Donorsubstrats

EP4453996 Art A1 30. Oktober 2024

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4453996
Aktenzeichen: EP22838896
Anmeldetag: 23. Dezember 2022
Veröffentlichung: 30. Oktober 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/02H01L21/20H01L21/762H10N30/073H03H3/02H03H3/08H03H9/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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