Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementgehäuses mit Isolierung
EP4457527
Art B1
25. Februar 2026
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4457527
- Aktenzeichen
- EP22917209
- Anmeldetag
- 19. Dezember 2022
- Veröffentlichung
- 25. Februar 2026
- Erteilung
- 25. Februar 2026
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G01R31/28G01R19/165H01L21/48H01L21/52H01L21/56H01L23/00G01R15/20G01R31/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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