In-Kanal-Heterostruktur-Feldeffekttransistor

EP4457865 Art A1 6. November 2024

Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4457865
Aktenzeichen: EP22826519
Anmeldetag: 16. November 2022
Veröffentlichung: 6. November 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/778H01L29/267H01L29/08H01L29/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Raytheon Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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