Speicheranordnung mit Vertikalen Transistoren und Verfahren zu deren Herstellung
EP4460849
Art A1
13. November 2024
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4460849
- Aktenzeichen
- EP23725566
- Anmeldetag
- 26. April 2023
- Veröffentlichung
- 13. November 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10D30/01H10B12/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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