Speichervorrichtungen und Verfahren zur Herstellung davon

EP4463858 Art A1 20. November 2024

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4463858
Aktenzeichen
EP23762153
Anmeldetag
27. Juli 2023
Veröffentlichung
20. November 2024
Rechtsraum
EP
IPC
G11C5/02G11C11/408G11C11/4091G11C11/4097H10B12/00G11C11/22
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

996 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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