Dreidimensionale Architektur für einen Nichtflüchtigen Speicher-Floorplan

EP4463862 Art A1 20. November 2024

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4463862
Aktenzeichen
EP23908802
Anmeldetag
15. Februar 2023
Veröffentlichung
20. November 2024
Rechtsraum
EP
IPC
G11C16/04H10B43/40H10B41/41G11C5/02
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

996 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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