Vertikale Transistoren und Verfahren zur Herstellung davon
EP4464137
Art A1
20. November 2024
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4464137
- Aktenzeichen
- EP22835203
- Anmeldetag
- 17. November 2022
- Veröffentlichung
- 20. November 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10B12/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
996 Patente in unserer Datenbank