Dreidimensionaler Speicher, Herstellungsverfahren dafür und Speichersystem
EP4465789
Art A1
20. November 2024
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4465789
- Aktenzeichen
- EP22961781
- Anmeldetag
- 14. Oktober 2022
- Veröffentlichung
- 20. November 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10B43/27H10B41/27H10B41/35H10B43/35
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
996 Patente in unserer Datenbank