Verfahren zur Herstellung einer Struktur mit mindestens Zwei Fliesen auf einem Substrat

EP4466730 Art A1 27. November 2024

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4466730
Aktenzeichen: EP23703100
Anmeldetag: 17. Januar 2023
Veröffentlichung: 27. November 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/02H01L21/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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