Verfahren zur Herstellung eines Donorsubstrats zur Übertragung einer Piezoelektrischen Schicht und Verfahren zur Übertragung einer Piezoelektrischen Schicht auf ein Trägersubstrat

EP4466966 Art B1 3. Dezember 2025

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4466966
Aktenzeichen: EP23700212
Anmeldetag: 11. Januar 2023
Veröffentlichung: 3. Dezember 2025
Erteilung: 3. Dezember 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H10N30/073

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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