Gruppe-Iii-V-Verbindungshalbleiter-Einkristallsubstrat und Herstellungsverfahren dafür
EP4467691
Art A1
27. November 2024
Anmelder: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4467691
- Aktenzeichen
- EP22921916
- Anmeldetag
- 21. Januar 2022
- Veröffentlichung
- 27. November 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B33/00C30B29/40C30B29/42C30B33/08H01L21/304H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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