Speichervorrichtung und Betrieb davon

EP4470004 Art B1 31. Dezember 2025

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4470004
Aktenzeichen
EP23727204
Anmeldetag
29. April 2023
Veröffentlichung
31. Dezember 2025
Erteilung
31. Dezember 2025
Rechtsraum
EP
IPC
G11C11/56G11C16/04G11C16/08G11C16/20G11C16/22G11C16/10G11C16/26G11C16/34
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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