Gebondete Speichervorrichtung und Herstellungsverfahren dafür
EP4471855
Art A3
19. März 2025
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4471855
- Aktenzeichen
- EP24200550
- Anmeldetag
- 30. November 2018
- Veröffentlichung
- 19. März 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L25/18H01L25/00// H01L25/065H01L23/00H10B43/27
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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