Dreidimensionaler Speicher und Herstellungsverfahren Dafür, Speichersystem und Elektronische Vorrichtung
EP4472378
Art A1
4. Dezember 2024
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4472378
- Aktenzeichen
- EP23769922
- Anmeldetag
- 17. März 2023
- Veröffentlichung
- 4. Dezember 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10B43/10H10B43/50// H10B43/27
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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