Dreidimensionale Speichervorrichtungen und Verfahren zur Formung davon
EP4472379
Art A3
2. April 2025
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4472379
- Aktenzeichen
- EP23218078
- Anmeldetag
- 1. März 2018
- Veröffentlichung
- 2. April 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10B43/27H10B43/40H10B43/50H10D88/00H10W72/00H10W72/90H10W80/00H10W90/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
996 Patente in unserer Datenbank