Verfahren zum Übertragen einer Dünnen Schicht auf ein Trägersubstrat

EP4473553 Art B1 17. Dezember 2025

Anmelder: SOITEC, Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4473553
Aktenzeichen: EP22836231
Anmeldetag: 19. Dezember 2022
Veröffentlichung: 17. Dezember 2025
Erteilung: 17. Dezember 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/18H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: SOITEC
Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

529 Patente in unserer Datenbank

🇫🇷 CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)

Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.

5.929 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von