Zweidimensionaler Elektronengasfeldeffekttransistor mit Seitengattern

EP4473570 Art A1 11. Dezember 2024

Anmelder: Université de Montpellier, Centre National de la Recherche Scientifique 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4473570
Aktenzeichen: EP23703172
Anmeldetag: 1. Februar 2023
Veröffentlichung: 11. Dezember 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/778H01L29/06H01L29/423

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Université de Montpellier
Centre National de la Recherche Scientifique
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Französische staatliche Forschungsorganisation mit Sitz in Paris. Betreibt Grundlagen- und angewandte Forschung in nahezu allen wissenschaftlichen Disziplinen über zahlreiche Institute und Labore.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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