Verfahren zur Herstellung einer Dichtung für ein Halbleitermodul und Gehäuse für ein Halbleitermodul

EP4475167 Art B1 30. Juli 2025

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4475167
Aktenzeichen: EP23177665
Anmeldetag: 6. Juni 2023
Veröffentlichung: 30. Juli 2025
Erteilung: 30. Juli 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/50H01L23/10// H01L23/053H01L23/24H01L23/498H01L25/07

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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