Halbleiterstruktur und Verfahren zu Ihrer Herstellung

EP4475183 Art B1 3. Dezember 2025

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4475183
Aktenzeichen
EP22944507
Anmeldetag
26. August 2022
Veröffentlichung
3. Dezember 2025
Erteilung
3. Dezember 2025
Rechtsraum
EP
IPC
H01L23/532H10B12/00
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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