Dreidimensionale Speichervorrichtungen
EP4477040
Art A1
18. Dezember 2024
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4477040
- Aktenzeichen
- EP23920291
- Anmeldetag
- 28. Februar 2023
- Veröffentlichung
- 18. Dezember 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10B12/00H10B53/10H10B53/20H10B53/30H01L23/00H01L25/065H01L25/18H10B80/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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