Hochfrequenzhalbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Hochfrequenzhalbleiterbauelements
EP4481812
Art A1
25. Dezember 2024
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4481812
- Aktenzeichen
- EP23180220
- Anmeldetag
- 20. Juni 2023
- Veröffentlichung
- 25. Dezember 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/552// H01L23/66
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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