Gehäuse, Halbleitermodul und Verfahren zu dessen Herstellung

EP4489067 Art B1 27. August 2025

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4489067
Aktenzeichen: EP23183962
Anmeldetag: 6. Juli 2023
Veröffentlichung: 27. August 2025
Erteilung: 27. August 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H01L23/04H01L23/053H01L23/06H01L23/10H01L23/00// H01L23/24H01L25/07H01L23/373H01L23/498

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

4.872 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von