Piezoelektrikum-Auf-Isolator (poi)-Substrat und Verfahren zur Herstellung eines Piezoelektrikum-Auf-Isolator (poi)-Substrats

EP4490990 Art B1 11. Februar 2026

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4490990
Aktenzeichen: EP23707978
Anmeldetag: 3. März 2023
Veröffentlichung: 11. Februar 2026
Erteilung: 11. Februar 2026
Rechtsraum: EP
IPC: H10N30/073H03H9/02H03H3/08

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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