Hochfrequenzhalbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Hochfrequenzhalbleiterbauelements
EP4492458
Art A3
12. März 2025
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4492458
- Aktenzeichen
- EP24177762
- Anmeldetag
- 23. Mai 2024
- Veröffentlichung
- 12. März 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/552// H01L23/66H01Q1/22
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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