Gemeinsame Gate-Eingangsschaltung für Gepufferte Iii/v D-Modus Fet-Logik (bfl)
EP4494262
Art A1
22. Januar 2025
Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4494262
- Aktenzeichen
- EP23705735
- Anmeldetag
- 16. Januar 2023
- Veröffentlichung
- 22. Januar 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H03K19/0185
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Raytheon Company
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Raytheon Company
US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.
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