Saatsubstrat für Hocheigenschafts-Epitaxialwachstum, Verfahren zur Herstellung des Saatsubstrats für Hocheigenschafts-Epitaxialwachstum
EP4495299
Art A1
22. Januar 2025
Anmelder: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4495299
- Aktenzeichen
- EP23770147
- Anmeldetag
- 2. Februar 2023
- Veröffentlichung
- 22. Januar 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B25/18C30B29/38H01L21/205
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Chemical
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Shin-Etsu Chemical stellt Siliziumwafer für Halbleiter, Silikonprodukte, PVC und weitere Spezialchemikalien für Elektronik-, Bau- und Industrieanwendungen her.
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