Verfahren zur Herstellung eines Lichtemittierenden Nitridhalbleiterelements und Lichtemittierendes Nitridhalbleiterelement
EP4496157
Art A1
22. Januar 2025
Anmelder: Meijo University, Stanley Electric Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4496157
- Aktenzeichen
- EP23770630
- Anmeldetag
- 9. März 2023
- Veröffentlichung
- 22. Januar 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01S5/343C23C16/18C23C16/34C30B25/02C30B29/38H01S5/183C23C16/02C23C16/46C30B25/18C30B25/22C30B29/40H10H20/01H10H20/81H10H20/825H10P14/24H10P14/20C23C16/30C23C16/44H10H20/814
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Meijo University
Stanley Electric Co., Ltd. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Stanley Electric
Japanischer Zulieferer, spezialisiert auf Fahrzeugbeleuchtung wie Scheinwerfer und Rücklichter sowie LED- und optoelektronische Bauteile.
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