Verbundstruktur mit einer Monokristallinen Dünnschicht auf einem Polykristallinen Siliciumcarbidträgersubstrat und Zugehöriges Herstellungsverfahren

EP4500575 Art A1 5. Februar 2025

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4500575
Aktenzeichen: EP23709735
Anmeldetag: 10. März 2023
Veröffentlichung: 5. Februar 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H10P90/00H10P10/00C23C16/00C30B28/14C30B29/36C30B33/06C23C16/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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