Integriertes Diamantsubstrat zur Wärmeverwaltung eines Feldeffekttransistors (fet)

EP4500594 Art A1 5. Februar 2025

Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4500594
Aktenzeichen: EP23705165
Anmeldetag: 11. Januar 2023
Veröffentlichung: 5. Februar 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H01L23/66H01L23/373H01L23/14H01L29/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Raytheon Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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