Siliciumnitrid-Sinterkörper, Verschleissfestes Element, Substrat für Halbleiterbauelemente und Verfahren zur Herstellung eines Siliciumnitrid-Sinterkörpers

EP4501889 Art A1 5. Februar 2025

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba, Toshiba Materials Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4501889
Aktenzeichen: EP23871710
Anmeldetag: 31. August 2023
Veröffentlichung: 5. Februar 2025
Rechtsraum: EP
IPC: C04B35/596C04B35/64F16C33/24F16C33/32H05K1/03

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Kabushiki Kaisha Toshiba
Toshiba Materials Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

13.642 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Toshiba Materials

Toshiba Materials ist eine japanische Tochtergesellschaft des Toshiba-Konzerns, spezialisiert auf keramische und magnetische Werkstoffe. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie anorganische Chemie und Werkstoffe, ergänzt um Metallurgie. Anmeldungen erstrecken sich über die Jahre 2004 bis 2024.

411 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Elektronik & Schaltungstechnik Maschinenelemente & Fluidtechnik

Vertreten von