Halbleiterstruktur und Verfahren zu Ihrer Herstellung
EP4503129
Art A1
5. Februar 2025
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4503129
- Aktenzeichen
- EP23853798
- Anmeldetag
- 4. Januar 2023
- Veröffentlichung
- 5. Februar 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10B12/00H10D84/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
2.637 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
-
Gulde & Partner
Gulde & Partner · Berlin