Vertikale Halbleiteranordnung mit Gate-Elektrodenstruktur mit Seitlichen Vorsprüngen und Verfahren zur Herstellung der Halbleiteranordnung

EP4503134 Art A1 5. Februar 2025

Anmelder: Hitachi Energy Ltd 🇨🇭

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4503134
Aktenzeichen: EP23188718
Anmeldetag: 31. Juli 2023
Veröffentlichung: 5. Februar 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/06H01L29/40H01L29/417H01L29/423H01L29/66H01L29/739H01L29/08H01L29/10// H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Hitachi Energy Ltd
Land: 🇨🇭 Schweiz

🇨🇭 Hitachi Energy

Unternehmen mit Sitz in der Schweiz, hervorgegangen aus dem japanischen Hitachi-Konzern und der früheren Energiesparte von ABB. Entwickelt Technik für Stromübertragung, -verteilung und Netzautomatisierung.

1.100 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von