Feldeffekttransistor und Schaltelement

EP4503139 Art A1 5. Februar 2025

Anmelder: National University Corporation Hokkaido University 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4503139
Aktenzeichen
EP23774695
Anmeldetag
15. März 2023
Veröffentlichung
5. Februar 2025
Rechtsraum
EP
IPC
H10D12/00H10D30/01H10D30/43H10D30/63H10D62/13H10D62/10H10D62/85H10D12/01// B82Y10/00
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
National University Corporation Hokkaido University
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 National University Corporation Hokkaido University

Staatliche japanische Universität in Sapporo mit breiter Forschung, u.a. in Agrarwissenschaften, Ingenieurwesen und Materialwissenschaften.

891 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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