Schreibnivellierungsschaltung für Speicher und Steuerungsverfahren für Schreibnivellierungsschaltung

EP4510133 Art A1 19. Februar 2025

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4510133
Aktenzeichen
EP22955566
Anmeldetag
17. November 2022
Veröffentlichung
19. Februar 2025
Rechtsraum
EP
IPC
G11C11/4063G11C11/4076G11C11/4096G11C7/10G11C7/22
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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