Verfahren zur Herstellung eines Siliziumkarbid Halbleiterbauelements und Halbleiterbauelement

EP4513567 Art B1 13. August 2025

Anmelder: Hitachi Energy Ltd 🇨🇭

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4513567
Aktenzeichen: EP23192336
Anmeldetag: 21. August 2023
Veröffentlichung: 13. August 2025
Erteilung: 13. August 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H10D12/00H10D30/66H10D62/832H10D64/68H10D12/01H01L21/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Hitachi Energy Ltd
Land: 🇨🇭 Schweiz

🇨🇭 Hitachi Energy

Unternehmen mit Sitz in der Schweiz, hervorgegangen aus dem japanischen Hitachi-Konzern und der früheren Energiesparte von ABB. Entwickelt Technik für Stromübertragung, -verteilung und Netzautomatisierung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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